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三星和SK海力士担忧晶片法案对陆投资限制。

美国通过「晶片与科学法案」,法案将提供在美设厂的半导体公司390亿美元的补贴,以及25%的税收抵免,但同时也限制获得补贴的厂商,禁止在中国投资28奈米以下的制程技术。韩媒表示,三星及SK海力士对此感到担忧,如果禁令包含记忆体晶片,势必会受到冲击。

Business Korea报导,虽然法案明定禁令不包括28奈米以上制程技术,但并没有详述是记忆体晶片或非记忆体晶片,预期美国商务部之后会给予一个明确的定义。

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报导称,三星NAND快闪记忆体厂位于西安,苏州亦有座封测厂;SK海力士则在无锡有DRAM厂、以及大连有NAND快闪记忆体厂。由于三星和SK海力士在中国没有生产非记忆体晶片厂房,假设法案禁令若仅限非记忆体晶片,韩国半导体公司的风险趋近于零。

可一旦两者皆在禁令范围内,SK海力士将受到冲击,原因是其无锡厂生产的是10奈米的DRAM。至于三星风险相对较低,NAND快闪记忆体的层数比奈米更重要。

即便如此,报导强调,三星及SK海力士无法说毫无风险,获得补助的厂商必须在未来10年内,定期回报投资计画和活动,而在多数情况下,这些都是商业机密。

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